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TrendForce:庫存難去化 內存原廠罕見減產因應

作者:時間:2022-10-03來源:工商時報收藏

根據集邦科技調查顯示,自2021年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響,導致價格進入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的沖擊,旺季不旺,致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。

本文引用地址:http://www.danielliew.com/article/202210/438803.htm

為因應前述情況,美光(Micron)上周已宣告減產DRAM與NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的大廠。NAND Flash方面,市況相較DRAM更嚴峻,隨著主流容量wafer合約均價已跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)繼美光后也公告自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。

DRAM方面,目前的合約價格仍高過于各主流供貨商的總生產成本,因此與NAND Flash相較,尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。美光除了提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外,主要在強調2023年度資本支出的大幅下修,以及明年度DRAM生產位年成長僅有約5%。認為,依照美光的說法,要達到如此保守的位成長,代表產能利用率還有大幅下修空間,后續減產的執行程度仍待觀察。

NAND Flash方面,美光原定自今年第四季起逐步放大232層產品比重,然隨著調降產能利用率決策落實,預估2023年美光主流制程仍會以176層為主,同時舊制程投片亦將隨之減少。鎧俠及威騰電子(WDC)原計劃在今年第四季起轉進至162層產品,然由于威騰對2023年資本支出表露放緩態度,在資金難以到位且需求能見度差的情況下,將大幅降低162層產品比重,無法達成原先于2023年取代112層產品成為主流的計劃。

從2023年供需態勢分析,由于需求展望保守,因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過于求狀態,2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。DRAM領域,在美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低于供給位成長的歷史水位后,2023全年DRAM供過于求比例(Sufficiency Ratio)將由原先預估的11.6%,收斂至低于10%,有助于改善快速惡化的庫存壓力,不過后續仍仰賴更多供貨商加入DRAM實質減產行為,才能扭轉明年供需劣勢。

NAND Flash領域由于競爭者眾多,且制造方面未有逼近物理極限的限制,故收斂供給位是當務之急。在美光、鎧俠供給位成長皆下修的情況下,2023全年NAND Flash供過于求比例將由原先預估的10.1%,大幅下降至5.6%,在更多NAND Flash供貨商在虧損考慮加入減產行列的預期下,庫存壓力可望在2023年第二季有所緩解,而價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。




關鍵詞: TrendForce 內存

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